Engineering Defect-Phonon Interactions Through Heterophase-Interfaces in Silicon Carbide Membranes
说明通过异相界面调控碳化硅薄膜中缺陷与声子的相互作用
简介该论文利用远程外延技术在碳化硅薄膜中构建可控的异相界面（3C/4H 异质界面），研究其对硅空位（Vsi）缺陷与声子相互作用的影响。与单相 4H-SiC 薄膜相比，3C/4H 界面中的 Vsi 零声子光学跃迁明显增强，室温下零声子线宽为 4.71 meV。作者由此认为，异相界面可作为调控缺陷-声子相互作用、制备室温亮量子发射体的一种方法。