Engineering Defect-Phonon Interactions Through Heterophase-Interfaces in Silicon Carbide Membranes
説明炭化ケイ素膜のヘテロ相界面による欠陥－フォノン相互作用の制御
要約本論文は、リモートエピタキシー技術を用いて炭化ケイ素（SiC）膜に制御されたヘテロ相界面（3C/4H 異種界面）を作り、シリコン空孔（Vsi）欠陥とフォノンの相互作用への影響を調べたものである。単相の 4H-SiC 膜と比べ、3C/4H 界面中の Vsi では零フォノン光学遷移が大きく増強され、室温でも零フォノン線幅は 4.71 meV と狭い。著者らは、ヘテロ相界面が欠陥－フォノン相互作用を調整し、室温で明るい量子エミッタを実現する手法になると結論づけている。